永源微代理商 AP15N04S 40V N沟道增强型MOSFET(永源旗舰店)

fjmyhfvclm2025-12-05  19

描述;

AP15N04S采用先进的沟槽技术,具有出色的导通电阻(RDS(ON))、低栅极电荷,并且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

特征;

漏源电压(VDS)=40V 漏极电流(ID)=15A

在栅源电压(VGS)=10V时,导通电阻(RDS(ON))<13mΩ(典型值:10.5mΩ)

应用;

电池保护

负载开关

不间断电源

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