前言近年来，从充电头网多款拆解报告中我们可以看到，英诺赛科推出的GaN功率器件广泛应用于大功率快充LLC电路中。在传统的LLC电路中常常选用高压MOS作为初级功率器件应用。然而随着快充功率需求和功率密度的不断攀升，传统硅MOS逐渐成为瓶颈，限制了整体功率密度的提升。此时，英诺赛科的氮化镓功率器件凭借其优异的高频特性和低损耗优势，为LLC架构带来了新的突破空间。
英诺赛科在快充LLC电路的应用文中出现的英诺赛科氮化镓如上表所示，从650V到700V的多颗氮化镓，在数十款知名品牌高功率快充中LLC电路中均有大量应用。
英诺赛科INN650D02英诺赛科INN650D02氮化镓功率芯片额定耐压为650V，峰值耐压750V，导阻低至0.2Ω，符合JEDEC标准的工业应用要求，支持ESD保护，支持开尔文源极。最高工作温度150℃。INN650D02 “InnoGaN”开关管高频特性好，且导通电阻小，适合高频高效的开关电源应用，采用DFN8*8封装，具备超低热阻，散热性能好，适合高功率密度的开关电源应用。
在LLC电路中，INN650D02的低阻和出色的高频特性，帮助提升电源转换效率，减少开关损耗，并降低热量产生，现今获得华科生 230W 4C1A氮化镓桌面充、安述智能240W电源适配器、SPRUCE 140W 3C1A无线充二合一充电座以及福佳240W DC氮化镓电源适配器应用。
应用案例：
1、拆解报告：华科生 230W 4C1A氮化镓桌面充
2、拆解一款游戏本专用240W氮化镓+碳化硅适配器
3、拆解报告：SPRUCE 140W 3C1A无线充二合一充电座
4、拆解报告：福佳240W DC氮化镓电源适配器
英诺赛科INN650D150A英诺赛科INN650D150A是一颗耐压650V的氮化镓高压单管，瞬态耐压750V，导阻150mΩ，采用DFN8*8封装。INN650D150A支持超高开关频率，无反向恢复电荷，具有极低的栅极电荷和输出电荷，符合JEDEC标准的工业应用要求，内置ESD保护，符合RoHS、无铅、欧盟REACH法规。
该器件应用案例包括HyperJuice 245W 4USB-C口氮化镓桌面充电器和倍思240W 3C1A+DC氮化镓桌面充电器，两者均在LLC电路中通过INN650D150A实现更高的功率密度。
相关阅读：
1、拆解报告：HyperJuice 245W 4USB-C口氮化镓桌面充电器
2、拆解报告：倍思240W 3C1A+DC氮化镓桌面充电器
英诺赛科INN650D260A英诺赛科INN650D260A氮化镓功率器件，额定耐压为650V，导阻260mΩ，采用DFN8*8封装，符合JEDEC标准的工业应用要求，支持ESD保护，支持开尔文源极。最高工作温度150℃。INN650D260A支持超高开关频率，无反向恢复电荷，具有极低的栅极电荷和输出电荷符合RoHS、无铅、欧盟REACH法规。
在LLC电路中，该器件凭借自身出色性能，帮助提升电源转换效率，减少开关损耗，获得绿联200W 4C2A六口氮化镓桌面充产品应用。
应用案例：
1、拆解报告：绿联200W 4C2A六口氮化镓桌面充
英诺赛科INN650DA260A英诺赛科INN650DA260A是一颗高性价比、耐压650V的氮化镓高压单管，瞬态耐压750V，导阻260mΩ，得益于工艺改进，相比英诺赛科之前的氮化镓器件，性能有明显的提升，适用于65-120W的反激架构，120-200W的LLC架构。英诺赛科INN650DA260A支持超高开关频率，无反向恢复电荷，具有极低的栅极电荷和输出电荷，符合JEDEC标准的工业应用要求，内置ESD保护，符合RoHS、无铅、欧盟REACH法规。
该器件应用案例包括尚巡230W氮化镓充电器和氘锋150W全能充GaN充电器PA0228，两者均在LLC电路中通过该器件实现更高的转换效率。
应用案例：
1、拆解报告：尚巡230W氮化镓充电器
2、拆解报告：氘锋150W全能充GaN充电器PA0228
英诺赛科INN700D140C英诺赛科INN700D140C是一颗耐压700V的增强型氮化镓开关管，导阻140mΩ，具备开尔文源极，采用DFN8*8封装。英诺赛科氮化镓开关管具有极低的栅极电荷和输出电荷，符合JEDEC标准的工业应用要求，内置ESD保护，符合RoHS、无铅、欧盟REACH法规。适用于图腾柱PFC，快充电源，高功率密度以及高能效开关电源应用。
在LLC电路中，该器件凭借自身出色性能，帮助提升电源转换效率，减少开关损耗，获得安克250W 4C2A氮化镓桌面充电器产品应用。
应用案例：
1、拆解报告：安克250W 4C2A氮化镓桌面充电器
英诺赛科INN700TK350B英诺赛科INN700TK350B是一颗耐压700V的增强型氮化镓开关管，导阻350mΩ，采用TO252封装。该器件具备ESD防护，具备超高开关频率，无反向恢复电荷且栅极电荷低，符合RoHS、无铅以及REACH 环保标准，适合PFC校正电路、AHB/LLC/QR/ACF电路等诸多场景应用。
在LLC电路中，该器件凭借自身出色性能替代传统硅MOS，帮助产品降低开关损耗，获得酷态科15号140W 3C1A充电器产品应用。
应用案例：
1、拆解报告：酷态科15号140W 3C1A充电器
充电头网总结英诺赛科氮化镓器件凭借高频、高压、高效的特性，旗下InnoGaN系列功率器件已在多款140W及以上快充产品中广泛应用，展现出高功率密度场景下的优异性能。英诺赛科GaN器件的高频特性与低导阻特征使得LLC拓扑能够在更紧凑的结构中达成高效率与高可靠性，推动PD快充、游戏本适配器能效全面提升，为终端设备带来低发热且轻薄的充电体验。
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