描述;
AGM20N65F 结合了先进的沟槽 MOSFET 技术和低电阻封装，以提供极低的 RDS(ON)。该器件非常适合负载开关和电池保护应用。
特征;
先进的高单元密度沟槽技术
低 RDS(ON) 以最小化导电损耗
低栅极电荷以实现快速切换
低热阻
100% 雪崩测试
100% DVDS 测试
应用；
电子镇流器
电子变压器
开关电源
详情请咨询我司业务15986786916
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描述;
AGM20N65F 结合了先进的沟槽 MOSFET 技术和低电阻封装，以提供极低的 RDS(ON)。该器件非常适合负载开关和电池保护应用。
特征;
先进的高单元密度沟槽技术
低 RDS(ON) 以最小化导电损耗
低栅极电荷以实现快速切换
低热阻
100% 雪崩测试
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应用；
电子镇流器
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 MOSFET技术的范式转变(电力电子变换器有哪几种类型))
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